رسالة ماجستير هدى طالب / بعنوان: تحضير وتوصيف أغشية  (Cu2CrSnS4) الرقيقة المرسبة عند درجات حرارة مختلفة

المستخلص

     في هذا البحث تم ترسيب الأغشية الرقيقة(CCTS) Cu2CrSnS4 على قواعد من الزجاج العادي  (soda lime glass) باستعمال تقنية التحلل الحراري  بالرش الكيميائي، بدرجات  حرارة  ترسيب مختلفة    200 ˚C  ) ,250  ,300 , 350 ,400 , 450) بدون أي عملية تلدين. تم في هذا البحث دراسة تأثير درجة حرارة القاعدة  على خصائص  الأغشية المحضرة. و دراسة الخصائص التركيبية لها بتقنية حيود الأشعة السينية (XRD) ،  ومطيافية رامان (Raman Spectroscopy)، والمجهر الإلكتروني الماسح و الباعث للمجال (FE-SEM) ، والخصائص البصرية بواسطة مطياف  الاشعة  المرئية فوق البنفسجية (UV-Visible spectrophotometer)،  بينما تم وصف الخصائص الكهربائية بواسطة تأثير هول (Hall effect).

     أظهرت نتائج XRD) ) ان التركيب البلوري الرباعي(Tetragonal) ذو الطور(Stannite)  لأغشية (Cu2CrSnS4) (CCTS) مع الاتجاه السائد والمفضل لنمو المستوي (112). أظهرت نتائج التحليل الطيفي لرامان لأغشية (CCTS) المحضرة ذو قمة  بارزة في الموقع (cm-1  336 )، مما يشير إلى تكوين المركبات الرباعية.  بينت نتائج التركيب المورفولوجي ومن خلال صور (FE-SEM) لسطوح الاغشية اشكال وتراكيب مختلفة و حجوم حبيبية مختلفة تتراوح بين (40-294 nm)  لاغشية (CCTS). و اظهرت القياسات الكهربائية من خلال تأثير هول موصلية من نوع (p-type). واوضحت الفحوصات البصرية لطيف الاشعة الفوق البنفسجة- المرئية فجوة طاقة بصرية (1.69-1.95 eV) لاغشية (CCTS)، وتعد هذه القيم مناسبة لتطبيقات الخلايا الشمسية ذات الاغشية الرقيقة، كما تم التوصل الى درجة حراة الترسيب المفضلة لأغشية (CCTS,) المحضرة هي (350 °C) .

اترك تعليقاً